用于半导体器件失效分析的热成像显微镜 Sentris

由于集成电路特征尺寸和电源电压的持续下降,检测和定位由故障部位产生的微小热量变得越来越困难。Sentris热成像显微镜通过IC故障(如短路和漏电流)确定低水平的红外热辐射。

使用称为锁定热成像的无损检测(NDT)过程,可以在裸露(正面或背面)和封装器件上隔离故障,并且不需要表面涂层。Sentris还可以在SMD元件上找到低功耗故障点,例如电容器泄漏。可以定位缺陷部位的x,y位置以及缺陷深度。在隔离堆叠芯片封装中的故障时,深度分析非常有用。

除故障隔离外,Sentris还包括用于真实温度测绘,结温测量,芯片连接评估和热阻评估的热分析工具。

物理规格

Sentris表单位:450毫米(宽)x 450毫米(深)x 650毫米(高),30千克
热级控制器:300毫米*宽)x 350毫米(深)x 130毫米(高),4千克
簧片继电器外壳:220毫米(宽)x 180毫米(深)x 120毫米(高),2千克
台面空间(最小):180厘米(宽)x 90厘米(深)x 80厘米(高)
需要实用程序:6个插座:100 V AC至240 V AC,50 Hz至60 Hz

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